【成果简介】近日，软实软件武汉理工大学李能教授课题组与厦门大学马来西亚王伟俊博士合作，软实软件基于g-C3N4材料的缺陷工程调控，利用催化剂的氮空位锚固过渡金属单原子的方式，有效地提高了活性位点对氮气分子的吸附和催化性能。

(e)本工作所研究样品在300K、力扎573K、723K时，Seebeck系数与载流子浓度之比。根西(c)(Sn0.7Ge0.2Pb0.1)1-xMn1.1xTe样品当x=0.2时的结构精修结果。

推动(b)Seebeck系数的温度依赖性。而此篇文章作者考虑了多组元合金体系，智慧即合金元素少于五种的低配版高熵合金。【成果简介】近日，成长深圳大学的李均钦教授（通讯作者）团队在AdvancedEnergyMaterials上发表了题为EntropyEngineeringofSnTe:Multi‐Principal‐ElementAlloyingLeadingtoUltralowLatticeThermalConductivityandState-of-the-ArtThermoelectricPerformance的文章。

软实软件(e)200和220反射点的GPA结果。(e)室温下样品的Pisarenko图和其他Mn掺杂SnTe合金的比较;(f)样品功率因子的温度依赖性.【小结】在熵工程的背景下，力扎作者在SnTe热电材料中，力扎使用多重元素合金体系在结构有序和无序之间得到精妙平衡，进而观察了由声学声子散射到合金元素数目增加的合金散射的系统转变。

根西(d)Sn18Ge5Pb2Mn2Te27.图4：SnTe基合金物理性质的温度依赖关系。

推动图7：(Sn0.7Ge0.2Pb0.1)1-xMn1.1xTe样品热电性能随温度变化情况。在实验中，智慧奇数和偶数薄膜中均观测到了清晰的拓扑边缘态，但其拓扑起源是不同的。

【成果简介】近日，成长清华大学李渭、成长薛其坤和华中科技大学徐刚（共同通讯作者）等人利用分子束外延法（MBE）在STO衬底上生长出~20UC的FeSe薄膜，并使用STM研究了FeSe薄膜中畴界处的电子结构。（g）展示了清晰的边缘态图四畴界交叉点的束缚态（a、软实软件b）图1c中交叉点电子态密度分布图。

因此，力扎在超导FeSe薄膜中引入畴界为实现拓扑超导提供了新的思路，其优点为可避免引入掺杂、异质结结构等复杂性，在单组份材料中实现拓扑超导。在低温下，根西铁基超导体中电子结构的旋转对称性被破坏，形成向列相，其在实验中表现为可观测的电子各向异性。